首战告捷！新一代抗辐射高压400伏SiC功率器件研发稳步前行

2024年11月15日，由中国科学院微电子所刘新宇、汤益丹团队及中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队共同研制的碳化硅（SiC）载荷搭载天舟八号货运飞船进入太空，并在10天后正式加压至400伏，成功完成首款国产高压400伏抗辐射SiC功率器件的空间环境适应性验证及其在电源系统中的在轨应用验证。

功率器件是电力电子系统的核心，SiC材料因其优异性能成为下一代功率器件的热门选择。团队通过突破SiC功率器件抗辐射加固设计、栅氧工艺等关键技术，成功研制出高压抗辐射SiC功率器件，并通过一个多月的在轨加电试验验证其性能符合预期。未来，团队将优化器件结构及工艺，推动其批量应用，并研发更高电压等级的抗辐射SiC功率器件。