中国科学家于空间站成功培育铟硒半导体晶体

中国科学院空间应用工程与技术中心宣布，我国科研人员利用中国空间站的高温材料科学实验柜成功完成了铟硒半导体晶体生长实验，获得了完整的晶体样品。铟硒半导体晶体作为一种柔性半导体材料，具备传统半导体材料的物理性能，且能进行塑性变形和机械加工，为新型电子器件的设计和应用提供新途径。然而，制备满足应用要求的铟硒半导体晶体仍面临挑战，其高缺陷密度对半导体器件性能产生严重影响。

空间微重力环境为铟硒半导体材料的制备和相关机理研究提供了独特条件。在空间站中生长的铟硒半导体晶体的位错密度远低于地面，甚至在生长初期存在近零位错区域。此外，研究还发现晶体的晶格参数变大，可能发生了膨胀现象。未来，研究团队计划开展进一步的微重力生长掺杂铟硒半导体晶体及性能研究，以及附加旋转磁场生长等相关研究。