二维半导体材料开发迎来新突破：2DCZ方法引领创新

张跃院士及张铮教授团队提出了名为“二维Czochralski（2DCZ）”的新方法，成功在常压下快速生长出厘米级、无晶界的单晶二硫化钼晶畴，展现出卓越的均匀性和低缺陷密度，相关成果发表于《自然—材料》。该方法为二维过渡金属二硫族化物的晶圆级生产提供了新途径，有望推动二维半导体材料生长方法的创新。

与传统的Czochralski和CVD法相比，2DCZ方法提高了二硫化钼生长的质量、规模和效率，且与硅基制造工艺兼容。统计分析显示，由该方法制造的场效应晶体管器件良率高、迁移率变化小，为下一代集成电路的制造提供了重要的材料基础。